5nm芯片倾覆,联发科成为赢家

5nm是手机制造商的新里程碑。

由于该过程已跨代升级,因此消费者对其性能和功耗非常乐观。

在发布几种5nm旗舰芯片之前,互联网上的各种谣言已将性能提高到了7nm之上的百分之几十,并降低了功耗。

但是,在苹果,华为和高通等制造商发布5nm芯片后,出现了不同程度的颠覆。

几个5nm芯片的相对统一的问题是,性能提升受到限制,功耗不是很好,并且Snapdragon 888在高性能场景中的稳定性也不令人满意。

总的来说,目前正在销售的带有5nm芯片的手机还没有达到用户的期望。

至于三星的Orion 2100,因为它不在市场上,暂时没有相关的评估,但是在看到Snapdragon 888的结果之后,三星估计它不会更好。

面对舆论认为5nm芯片正在推翻,联发科于1月20日发布了其新处理器Dimensity1200。

在新闻发布会之后,媒体询问联发科高管有关5nm芯片的性能和不令人满意的功耗测试。

对此,联发科高管表示,他们已经注意到了相关的公众舆论,但是每个人都可以放心,Dimensity 1200刚刚发布。

Dimensity 1200的改进不仅提高了性能,而且在功耗方面也使每个人都满意。

即使与当前的5nm芯片相比,Dimensity 1200的能源效率仍将处于绝对的第一梯队中。

为什么承受压力的联发科这次如此自信?主要是因为Dimensity 1200不使用5nm工艺,而是使用6nm工艺,并且也不使用x1超级内核。

在架构不是很激进的情况下,工艺稍有改进,发布时间是最新的,我相信联发科仍然有信心说出这样的话。

毕竟,当前的主流是5nm,联发科使用6nm芯片绝对在性能上没有优势,而Dimensity 1200只是中端芯片。

也许联发科担心自己的过渡,所以联发科的5nm芯片仍在开发中。

尽管它没有被遗忘,但它已经落后了很多。

预计配备Dimensity 1200的Redmi游戏手机将在3月之后推出。

如果是这种情况,Fage仍有大约2个月的时间对其进行抛光。

Redmi游戏手机是否像Fage所说的一样稳定?等到产品上市后再得出结论。

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金属膜柱状电阻,又称:晶圆电阻,柱状电阻,色环贴片电阻,无脚电阻,无引线电阻。金属膜柱状电阻介于贴片电阻与直插电阻之间,主要适用于电流较大/耐高压冲击/安全性要求高的高阶电路中,与直插电阻相比,由于去掉了引线,因此很大的降低了直插电阻在高频时引线所产生的寄生电感,同时能够解决直插电阻小阻值中精度与温度系数无法提高的难题,与片状电阻相比,由于更大的表面面积使之耐电流,耐高压的性能大大提升,不论在在功能上,机械结构上,电气特性上,或安全性上,都明显优于常规贴片电阻。

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