高电子迁移率晶体管（HEMT）具有超高速，低功耗和低噪声的优点。
它广泛用于高频信号处理，卫星通信，微波和毫米波设备等领域。
因此，已经开发出了高效的HEMT。
设备对我国电子信息技术的发展具有极其重要的意义。
借助TCAD设计软件，研究人员可以直观地分析设备的内部工作机制并设计各种新架构，从而节省时间，精力和金钱。
高性能HEMT设备。
最近，我们的技术团队基于Crosslight的先进半导体仿真设计平台，创新地为一家国内高科技公司开发了HEMT3D结构计算模型，并实现了测试数据和计算数据的精确拟合[请参见下图]。
该计算模型充分考虑并深入优化了极化模型，载流子隧穿模型，缺陷模型，界面状态模型，低/高场迁移率模型等关键模型，可以准确地再现出实际HEMT器件的真实工作状态。
该项目得到了公司技术人员的充分认可和肯定，为进一步实现国产高端HEMT器件的自主研发和制备提供了重要的参考。
HEMT输出特性曲线fqj
