MOS管和简单的CMOS逻辑电平电路

现代的单芯片微型计算机主要由CMOS技术制成。 01MOS管MOS管分为两种：N型和P型。
如下图所示：以N型管为例，第2端子是控制端子，称为“门”。 3端子通常接地，称为“源”。
源电压记录为Vss，并且1端子连接到正电压。这被称为“排水”。
漏极电压表示为VDD。为了使端子1和端子3导通，栅极2必须为高电平。
对于P型管，栅极，源极和漏极分别是5个端子，4个端子和6个端子。为了使4端子和6端子导通，栅极5必须处于低电平。
在由CMOS技术制成的逻辑设备或单片机中，N型管和P型管通常成对出现。这两个CMOS管在任何时候都同时出现，只要一个打开，另一个不打开（即“关闭”或“关闭”），因此它们被称为“互补”管。
CMOS管。 02CMOS逻辑电平高速CMOS电路的电源电压VDD通常为+ 5V； Vss接地，为0V。
高电平被认为是逻辑“ 1”，并且电平值的范围是：VDD〜VDD的65％（或VDD-1.5V〜VDD）。低电平被认为是逻辑“ 0”，并且要求不超过VDD的35％或0。
〜1.5V。 + 1.5V〜+ 3.5V应视为不确定电平。
避免硬件设计中的不确定性水平。近年来，随着亚微米技术的发展，单片机的电源供应呈现下降趋势。
低电源电压有助于降低功耗。 VDD为3.3V的CMOS器件已被广泛使用。
在便携式应用中，也出现了VDD为2.7V甚至1.8V的微控制器。将来，电源电压将继续下降至0.9V，但是低于VDD的35％的电平被认为是逻辑“ 0”，高于VDD的65％的规则被认为是逻辑“ 0”。
被认为是逻辑“ 1”的逻辑单元。仍然适用。
03非门非门（反相器）是最简单的门电路，由一对CMOS管组成。其工作原理如下：当A端处于高电平时，P型管截止，N型管导通，输出端C的电平与Vss一致，输出低；当A端为低电平时，P型管导通，N型管截止，输出端C的电平与VDD一致，输出为高。
04 NAND门NAND门的工作原理：①当A和B输入都为低电平时，1、2管导通，3和4管关断，C端子的电压与VDD一致，并且输出很高。 ②。
当A输入高电平而B输入低电平时，管1、3接通，管2和4关断，端子C的电位与管1的漏极一致，并且输出为高。 ③。
当A输入低电平而B输入高电平时，情况类似于②，并且也输出高电平。 ④当A和B输入都为高电平时，将管1和2断开，将管3和4导通，端子C的电压与大地一致，输出为低电平。
05 NOR门NOR门的工作原理：①当A和B输入都为低电平时，打开1、2个电子管，关闭3和4个电子管，C端子电压与VDD一致，并且输出高。 ②。
当A输入高电平而B输入低电平时，电子管1、4接通，电子管2和3关断，并且端子C输出低电平。 ③。
当A输入低电平而B输入高电平时，情况类似于②，并且也输出低电平。 ④当A和B输入都为高电平时，将管1和2断开，将管3和4导通，端子C的电压与大地一致，输出为低电平。
注意：去掉上述“ NAND”输出端子上的小圆圈。门和“或非”门逻辑符号，它将成为“ AND”逻辑符号。
门和“或”表示门。实现“与”电路的电路图。
和“ OR”；功能必须在输出端添加一个反相器，即添加一对CMOS晶体管。因此，“与”表示门实际上比“与非”门更复杂。
门，并且延迟时间也更长，这在电路设计中应予以注意。 06三态门三态门的工作原理：当控制端子C为“ 1”时，N型管3导通，同时C端子的电平变低。
在经过逆变器之后，P型管4导通。通过，输入A的电平可以通过3和4管到达输出B。
当控制端。