发行Linux文件系统OpenZFS 2.0.0-rc1：与Linux 3.10-5.8内核兼容

现在已发布OpenZFS 2.0.0-rc1，这是要发布的OpenZFS 2.0的第一个候选版本。 OpenZFS（以前称为ZFS）是Linux，FreeBSD和macOS平台上的文件系统。
该版本的特定更新如下：•支持的平台•Linux：与3.10-5.8内核兼容•FreeBSD 12.1（发行版），稳定版/ 12和HEAD（13）的新功能•Linux和FreeBSD的统一代码库•已编辑的zfs发送/ recv•L2ARC持久性•顺序重新同步•zstd压缩支持•日志空间映射•快速克隆删除•添加了zpool wait子命令•改进了zfs共享可伸缩性更新指令

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题，它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先，我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说，用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间，但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比：应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中，N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N MOSFET）是关键元件。根据耐压范围的不同，可将N MOS分为高耐压型（40-300V）与低压型（0-40V）。以下从多个维度...
N+P互补对MOS管31V至100V：高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中，N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力，广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中，工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管，尤其适用于需要...
深入解析：如何根据系统需求选择合适的N MOSFET？40-300V vs 0-40V 为什么不同耐压范围的N MOSFET适用于不同领域？在现代电子系统中，正确选型N MOSFET是保障系统稳定性与效率的关键。本文以40-300V与0-40V两个典型范围为例，深入剖析其技术差异与选型逻辑。1. 工作电压决定耐压选型系统输入电压...
0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南在电子设计中，0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件，广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET，并...
深入解析：0-40V N MOS vs PMV0402-5R0E100 与 PVR10D 的电气特性差异核心差异：从电气参数看技术定位在实际工程应用中，仅看“电压范围”不足以判断器件优劣。以下从关键电气参数出发，深度剖析三款产品的本质区别。一、关键参数对比表参数 0-40V N MOS PVR10D PMV0402-5R0E100 最大...
0-40V N MOS与PVR10D、PMV0402-5R0E100对比分析：性能、应用与选型指南引言在现代电子系统设计中，功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是实现高效能量转换与控制的核心元件。特别是在电源管理、电机驱动和车载电子等领域，选择合适的MOSFET至关重要。本文将对三种常见型号——0-40V N...
如何根据系统需求选择合适的参考电压组件：0.6V vs 1.24V 从系统级设计视角看0.6V与1.24V参考电压组件的选型策略在嵌入式系统、传感器接口电路以及电源管理芯片设计中，参考电压组件的选择直接影响系统的可靠性与能效表现。本文将从多个维度深入剖析0.6V与1.24V参考电压组件的选型...
电阻精密度1%能代0.1%吗? 不能！其实，对于不是搞计量的不需要分的那么清楚，可以大体上认为高精密、高准确、低误差等是一个意思。但是，对于“精度”一词，可以分解成分解成三个要素： 1 、温度系数：温度变化是电阻的大敌，温度系数一...
万用表测电阻显示0.L的原因解析当使用万用表测量电阻时，如果显示屏上出现“0.L”的读数，这通常意味着被测电阻值小于万用表能够准确显示的最小值。具体来说，“0.L”中的“L”代表低（Low）的意思，表示电阻值过低以至于超出了当前量程设置下的分辨率...
PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性，其电阻值随温度变化而变化，通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C（这指的是每度变化的电阻增量），我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析引言在现代电子系统中，尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域，8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管（即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构）因其优异的开关性能和高可靠性，成为该电压区间内核心...
如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路引言：驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中，正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件，若驱动不当，可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
从0.6X0.3mm到1.6X0.8mm：SMD芯片封装发展趋势与选型指南前言在电子元器件不断向微型化、高性能演进的背景下，SMD（Surface Mount Device）芯片封装成为连接硬件创新与量产落地的关键环节。本文聚焦于两款极具代表性的封装规格——Chip SMD-0.6X0.3mm 与 Chip SMD-1.6X0.8mm，深入探讨其技术特征...
如何在8V–29V系统中优化选择N沟道与P沟道MOS管？ 8V–29V系统中N沟道与P沟道MOS管选型策略指南在设计8V至29V的电源管理系统、电机控制器或智能开关电路时，正确选择N沟道或P沟道MOS管至关重要。以下从多个维度提供实用选型建议，帮助工程师实现最佳性能与成本平衡。1. 明确应...
0.6V与1.24V参考电压组件在精密模拟电路中的应用对比 0.6V与1.24V参考电压组件的核心差异分析在现代模拟集成电路设计中，参考电压组件是确保系统精度和稳定性的关键元件。其中，0.6V和1.24V两种参考电压组件因其独特的性能参数，在低功耗、高精度应用场景中备受关注。1. 工作原...
30V互补对N+P MOS管在现代电子设备中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是不可或缺的组件之一，广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管，它在高压应用中表现尤为突出，能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
P沟道与N沟道MOS管在8V至29V电压范围内的应用对比分析 P沟道与N沟道MOS管概述在现代电子电路设计中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用。根据导电类型的不同，MOS管可分为P沟道和N沟道两种。其中，P沟道MOS管（PMOS）在栅...
贴片合金采样电阻2512 0.01R 1% 2W 加工定制否品牌TA-I/大毅型号RLP25FEER010种类合金性能耐高温材料合金制作工艺合金工艺外形平面片状允许偏差±1%温度系数50ppm/℃额定功率2（W）功率特性大功率频率特性中频产品性质高精度合金检测电阻标称阻值0.01R货号21+是否跨...