UnitedSiC与EDOM Technology签署经销协议以加快行业对碳化硅技术的采用

中国北京-2020年9月17日-领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布与EDOM Technology(TWSE:3048)签署代理协议,EDOM Technology是总部位于台湾的半导体产品的主要分销商,解决方案提供商。 Edom Technology将与UnitedSiC合作,帮助其将产品推向亚洲市场,并为电动汽车,电池充电,IT基础设施,可再生能源和电路保护等高增长应用领域的客户提供产品解决方案。
UnitedSiC全球销售和营销副总裁Yalcin Bulut表示:“亚洲市场正在迅速崛起,迫切需要采用能够使新产品脱颖而出的新技术。 Edom的技术专长和一流的服务,再加上UnitedSiC的高效和行业领先的SiC FET产品,将为亚洲的电源设计人员提供强大的协作解决方案。
” Edom Technology董事长曾玉仪说:“我们很高兴与UnitedSiC合作,将其行业领先的SiC技术推向亚洲市场。越来越多的应用不断推动着对SiC技术的大量需求,我们期待与客户合作,以​​加快行业对UnitedSiC的创新组件技术的采用。
”。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: momo@jepsun.com

产品经理: 李经理

QQ: 2215069954

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • 欧璐O-墙壁开关:简约设计与实用功能的完美结合 欧璐O-墙壁开关是一款结合了实用性和设计感的产品,特别适合现代家居使用。这款开关设计为一开多三孔单的设计模式,意味着一个开关可以控制多个电器的电源,不仅节省了安装空间,还极大地提升了使用的便捷性。其外观简...
  • 现货SMC磁性开关D-90、D-A93 D-A73:高效可靠的自动化控制选择 现货供应的SMC磁性开关D-90、D-A93和D-A73型号是工业自动化领域中不可或缺的传感设备。这些开关主要用于检测气缸活塞的位置,通过内置的磁感应元件来实现非接触式的信号传输。它们在设计上具备小巧紧凑的特点,能够轻松安装...
  • JMV-E积层压敏电阻技术参数与应用领域详解 积层压敏电阻(JMV-E)是一种广泛应用于电子设备中的关键保护元件,其主要功能是为电路提供过电压保护,防止瞬态电压对敏感电子元件造成损害。在现代电子产品中,瞬态电压可能来源于雷击、电源波动或电路开关等现象,这...
  • JMV-E积层压敏电阻技术解析:高性能电子防护的核心组件 JMV-E积层压敏电阻概述JMV-E积层压敏电阻(Multilayer Varistor, MLV)是一种基于陶瓷材料的先进压敏元件,广泛应用于现代电子设备中,用于过电压保护和浪涌抑制。其核心优势在于高可靠性、快速响应时间以及优异的耐冲击能力。核...
  • E+H液位开关FTL20: 高性能与可靠性的液位检测解决方案 E+H液位开关FTL20是一款高性能、高可靠性的液位检测设备,广泛应用于化工、制药、食品加工等多个行业。该款液位开关采用了先进的测量技术,能够在各种复杂工况下准确检测液体的有无及位置变化,确保生产过程的安全与稳定...
  • 通讯协议切换器:实现多协议无缝对接的关键技术解析 通讯协议切换器:实现多协议无缝对接的关键技术解析在现代工业自动化与物联网(IoT)系统中,设备种类繁多,通信方式各异。不同设备可能采用Modbus、Profinet、MQTT、OPC UA、CANopen等不同的通讯协议,这给系统集成带来了巨大挑...
  • TSS管与聚鼎PXXXX T/S电感的性能对比及应用解析 TSS管与聚鼎PXXXX T/S电感的核心技术优势在现代电子设备中,TSS管(Transient Suppressor Semiconductor)与聚鼎品牌PXXXX系列电感(包括T型与S型)因其卓越的瞬态抑制能力和高可靠性,广泛应用于电源管理、通信设备和工业控制领域。以下...
  • 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
  • 聚鼎PXXXX T与S电感对比:性能差异与工程选型策略 聚鼎PXXXX T vs S电感:全面性能对比与工程实践指南面对日益复杂的电子系统设计需求,如何在“聚鼎PXXXX T”与“聚鼎PXXXX S”两款电感之间做出最优选择?本文从结构、性能、适用场景三个维度展开深度对比,并提供实用的工程选...
  • JMV-E积层压敏电阻详解:结构、特性与应用优势 JMV-E积层压敏电阻概述JMV-E积层压敏电阻是一种高性能的电子元器件,广泛应用于电路保护领域。其核心特点是采用多层陶瓷材料通过积层工艺制成,具备优异的电压抑制能力与快速响应特性。一、产品结构特点积层结构设计:通...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
  • 大毅TAI薄膜精密电阻与TA-I、TAITIEN对比分析:性能、应用与技术优势全解析 大毅TAI薄膜精密电阻与TA-I、TAITIEN全面对比在高精度电子元件领域,薄膜精密电阻是实现稳定信号传输与精确测量的核心组件。大毅科技(Taiwan Advanced Instruments, TAI)推出的TAI系列薄膜精密电阻,凭借其卓越的稳定性与可靠性,已...
  • 深入解读积层压敏电阻JMV-E:从原理到实际应用的全面指南 积层压敏电阻JMV-E的工作原理积层压敏电阻基于非线性电阻特性,在正常电压下呈现高阻态,当电压超过阈值时迅速转入低阻态,从而将瞬时过电压泄放至地线,保护后级电路。关键性能参数解析 参数名称 典型值 说明 ...
  • 深入解析积层压敏电阻JMV-E:从原理到实际选型指南 积层压敏电阻JMV-E的工作原理积层压敏电阻基于氧化锌(ZnO)的非线性电阻特性工作。当电压低于阈值时,呈现高阻态,几乎无电流通过;一旦电压超过设定值,电阻迅速下降,将过电压能量泄放至地,从而保护后级电路。一、非...
  • I2C多任务器与FM3 CY9BFx2xK/L/M MCU协同应用解析 I2C多任务器与FM3 CY9BFx2xK/L/M MCU技术融合概述在现代嵌入式系统设计中,I2C总线作为低速、低成本的串行通信协议,被广泛应用于传感器、存储器、显示模块等外设连接。然而,当系统中需要连接多个I2C设备时,单一主控的资源限...
  • 如何在31V至99V系统中正确选择P沟道与N沟道MOS管?技术指南与实战建议 前言:高压系统中的关键元件选择在31V至99V的直流供电系统中,如储能系统、电动工具、医疗设备及智能电网接口装置,正确选择合适的MOS管是确保系统稳定、高效运行的核心。本文将结合实际工程案例,提供一套完整的选型流...
  • 深入解析29V耐压N+P互补对MOS管的技术参数与选型要点 29V耐压技术的关键突破随着电力电子系统向更高电压、更紧凑化方向发展,29V耐压的N+P互补对MOS管成为新一代高性能器件的重要代表。其最大额定电压(Vds)达到29V,远超传统12V或15V器件,为复杂系统提供更强的冗余与安全裕量...