危机意识足够强:Nvidia推出A100 80GB HBM2e加速卡

在本文中,编辑将介绍NVIDIA昨天发布的A100 80GB HBM2e加速卡。

如果您想进一步了解它,或者想提高对它的了解,请阅读以下内容。

当前A100 80GB加速卡在GPU芯片上没有更改。

它仍然是A100内核,6912​​ CUDA内核,加速频率1.41GHz,FP32性能19.5TFLOPS,FP64性能9.7TFLOPS,INT8性能624TOPS,TDP 400W。

主要变化是显存,以前是40GB,HBM2规格,带宽1.6TB / s,现在已升级到80GB,显存类型也已成为更高级的HBM2e,频率已从2.4Gbps增加到3.2 Gbps,使带宽从1.6TB / s增加到2TB / s。

Nvidia提供了一些基准数据。

最大的改进是以DLRM Recommender为代表的AI深度学习,增加了3倍,其次是大数据分析,增加了2倍。

这些方面的改善效果是明显的。

对于需要进一步探索性能的客户,这是一个值得欢迎的升级。

升级后的80GB HBM2e版本已出现在NVIDIA的新DGX Station A100中。

它基本上是一个小型数据中心,配备了4个A100 80GB加速卡,可提供2.5 PetaFLOPS性能。

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金属膜柱状电阻,又称:晶圆电阻,柱状电阻,色环贴片电阻,无脚电阻,无引线电阻。金属膜柱状电阻介于贴片电阻与直插电阻之间,主要适用于电流较大/耐高压冲击/安全性要求高的高阶电路中,与直插电阻相比,由于去掉了引线,因此很大的降低了直插电阻在高频时引线所产生的寄生电感,同时能够解决直插电阻小阻值中精度与温度系数无法提高的难题,与片状电阻相比,由于更大的表面面积使之耐电流,耐高压的性能大大提升,不论在在功能上,机械结构上,电气特性上,或安全性上,都明显优于常规贴片电阻。

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