英特尔10纳米SuperFin转换晶体管：性能提高了15％以上

近年来，随着半导体技术的日益复杂，先进制造工艺的发展变得越来越具有挑战性。同时，由于不存在统一的行业标准，因此“数字游戏”成为了现实。
不同厂家的产品使这个问题更加复杂，并使大量的普通用户产生误解。作为半导体行业的领导者，英特尔一直处在先进制造工艺的最前沿，引领着行业的技术创新，但是在过去的两年中，英特尔似乎已经过时了。
14nm一年四季都在挣扎，而10nm一直被推迟，无法达到高性能。 7nm最近已经退票了。
三星和台积电非常活跃，而8nm，7nm，6nm，5nm则是不间断的。尽管许多行业专家和英特尔一再强调，不同工厂的流程不可直接比较，但“数字游戏”仍在不断发展。
更令人误解的是，在许多人的心中，英特尔似乎真的过时了。真的吗？当然不是。
英特尔今天掀起了轰动一时的热潮。新的“ SuperFin”晶体管已添加到10nm工艺节点中，这是该节点有史以来最大的性能改进。
仅此一项就足以与整个节点范围相提并论。简而言之，添加SuperFin几乎等同于将10nm变成（真实的）7nm！从历史上看，英特尔一直在转变和创新晶体管，这是半导体技术的基石，例如90nm时代的应变硅，45nm时代的高K金属栅极（HKMG）和22nm时代的FinFET三维晶体管。
即使是有争议的14纳米制程，英特尔也在不断改进。通过添加各种技术，今天的增强型14nm的性能与第一代相比提高了20％以上，这与完整的节点转换相当。
在这一代的10nm工艺节点中，英特尔还采用了许多新技术，例如自对准四重曝光（SAQP），钴局部互连，有源栅接触式（COAG）等，但它们也带来了挑战。新工艺的大规模批量生产和高产量很难在短时间内达到理想水平。
尽管如此，英特尔仍未遵循名称更改，而是继续从基础技术改进流程。在最新的增强型10nm工艺上，英特尔将增强型FinFET晶体与Super MIM（金属-绝缘体-金属）电容器结合在一起，创建了一个全新的SuperFin，可以提供增强的外延源极/漏极和改进的栅极工艺，以及额外的栅极间距。
SuperFi在技术层面上相当复杂。让我们在这里简单地讲一个长话，只说说它的主要技术功能以及它可以带来的好处，即如何获得更高的性能。
简而言之，有五个要点：1.增强源电极和漏极上晶体结构的扩展，从而增加了应变并减小了电阻，从而允许更多的电流通过通道。 2.改进栅极技术以实现更高的通道迁移率，从而使电荷载流子移动得更快。
3.提供附加的网格间距选项，可以为要求最高性能的芯片功能提供更高的驱动电流。 4.使用新的薄壁势垒可将通孔电阻降低30％，从而改善互连性能。
5.与行业标准相比，在相同的占位面积上电容增加了5倍，从而减少了电压降并显着提高了产品性能。这项技术的实现得益于一种新型的高K介电材料，该材料可以堆叠在厚度仅为几埃（即十分之一纳米）的超薄层中，形成重复的“超晶格”指的是“超晶格”。
结构体。这也是英特尔的独特技术。
英特尔声称，通过增强SuperFin晶体管技术等创新，10nm工艺可以使节点性能提高15％以上！当然，像前几代工艺一样，英特尔10nm也不会到此为止。将来将添加更多策略以继续提高性能。
它看起来像10nm，但不再是简单的10nm。 10nm SuperFin晶体管技术将在代号为Tiger Lake的下一代移动Core处理器中首次亮相，现已投入生产。
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