由21ic Forum的jinglixixi网站生产:bbs.21ic.com PIC16F15324开发板是一个小型开发板,板上装有LED和KEY等基本测试单元,可以完成简单的学习和测试目标。为了充分体验和演示PIC16F15324的性能,基于原始开发板,配置了具有I2C接口的OLED屏幕来显示信息,使用UART控制MP3音乐模块播放音频文件,并使用KEY来控制PIC16F15324的性能。
选择播放内容,从而形成可以显示的显示。用于中文播放列表的MP3播放器的总体结构如图1所示。
图1设计过程中播放器的总体结构,主要通过3个阶段:1)引脚配置阶段2)功能编程阶段3)功能测试阶段1。 & nbsp;& nbsp;引脚为开发工具配置PIC16F15324的限制,这里使用MPLABX IDE v5.45作为开发工具,并添加MCC来配置引脚功能,引脚配置如图2所示。
连接至OLED屏幕的数据引脚,PA1连接至OLED屏幕的时钟引脚。 PC4连接到MP3播放器模块的串行端口接收引脚; PA5连接到按钮引脚; PC1用作备用引脚来调节音量。
图2引脚功能配置另外,由于程序设计的需要,还选择了延迟功能,如图3所示。图3选择延迟功能完成引脚配置后,单击“ Generate”(生成)。
生成程序框架和程序。 2.  & nbsp;& nbsp;  功能性程序设计1)  显示程序设计#define OLED_SCLK_Set()  & nbsp; SCL_SetHigh()#定义OLED_SDIN_Set()& nbsp; & nbsp; SDA_SetHigh()对应的OLED屏幕初始化函数是:void OLED_Init(void){Write_IIC_Command(0xAE); //显示offWrite_IIC_Command(0x20); //设置内存寻址模式Write_IIC_Command(0x10); Write_IIC_Command(0xb0); //设置页面寻址模式的页面起始地址,0 -7Write_IIC_Command(0xc8); //设置COM输出扫描方向Write_IIC_Command(0x00); //-设置低列地址Write_IIC_Command(0x10); //-设置高列地址Write_IIC_Command(0x40); //设置起始行地址Write_IIC_Command(0x81); //设置对比度控制寄存器Write_IIC_Command(0xdf); Write_IIC_Command(0xa1); / //设置段重新映射0到127Write_IIC_Command(0xa6); //设置普通显示Write_IIC_Command(0xa8); //设置复用比(1至64)Write_IIC_Command(0x3F); // Write_IIC_Command(0xa4); // Write_IIC_Command(0xd3); //设置显示偏移量Write_IIC_Command(0x00); //不设置偏移量Write_IIC_Command(0xd5); //-设置显示时钟分频比/振荡器频率Write_IIC_Command(0xf0); //-设置分频比Write_IIC_Command( 0xd9); //-设置预充电周期Write_IIC_Command(0x22); // Write_IIC_Command(0xda); //-设置com引脚硬件配置Write_IIC_Command(0x12); Write_IIC_Command(0xdb); //-设置vcomhWrite_IIC_Command(0x20); // 0x20,0.77xVccWrite_IIC_Command(0x8d); //- DC-DC enableWrite_IIC_Command(0x14); // Write_IIC_Command(0x14); // Write_IIC_Command //-打开oled panelOLED_Clear();} 2)& nbsp;& nbsp;提取字体和歌曲选择以实现歌曲选择界面如图4所示,使用的中文字体是通过字体提取工具提取的,并构建了Small字体库。
图4歌曲选择界面图5用于提取字体汉字的显示功能为:void OLED_ShowCHinese(unsigned char x,unsigned char y,unsigned char no){unsigned char t,adder = 0; OLED_Set_Pos(x,y); for( t = 0; t& lt; 16; t ++){OLED_WR_Byte(Hzk [2 * no] [t],OLED_DATA); adder + = 1;} OLED_Set_Pos(x,y + 1); for(t = 0; t& lt; 16; t ++){OLED_WR_Byte(Hzk [2 * no + 1] [t],OLED_DATA); adder + = 1;}}借助开发板上的按钮,可以选择播放歌曲。原理图如图6所示。
图6按钮原理图在按钮的控制下,实现歌曲选择的过程如下:void OLED_ShowCHinese(unsigned char x,unsigned char y,unsigned char no){unsigned char t ,adder = 0; OLED_Set_Pos(x,y);对于(t = 0; t& lt; 16; t ++){OLED_WR_Byte(Hzk [2 * no] [t],OLED_DATA); adder + = 1;} OLED_Set_Pos(x ,y + 1); for(t = 0; t& lt; 16; t ++){OLED_WR_Byte(Hzk [2 * no + 1] [t],OLED_DATA); adder + = 1;}} 3)串行通信和应用由于MP3播放器模块支持串行端口控制,因此该串行端口用于在此处发送功能以发送控制命令,其引脚排列如图7所示。图7 MP3播放器的引脚排列模块是一种方便的说明方法。
指令存储在数组中。内容如下:unsigned charcmd3 [10] = {0X7E,0xFF,0x06,0X03,0x00,0x00,0x01,0xFE,0xF7,0XEF}; // *播放索引unsigned charcmd6 [10] = {0X7E,0xFF, 0x06、0X06、0x00
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series在工业电机控制中的协同应用解析 3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series:高效电力控制的黄金组合在现代工业自动化和高端电机控制系统中,3-Phase Gate Drivers(三相栅极驱动器)与Coilcraft P Series(线圈制造商Coilcraft的P系列电感)正逐渐成为核心组件。它们不仅在性能上...
- 如何选择合适的3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series配套方案? 从参数匹配到系统集成:3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series选型指南在设计高性能电机驱动系统时,正确搭配3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series电感至关重要。错误的选型可能导致系统效率下降、发热严重甚至器件损坏。以下从多个维...
- P沟道MOS管工作原理及应用 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET)是一种常用的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。其工作原理基于电压控制电流的特性,与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管在结构和工作方式上有一些显著的区别。### 工作原理P沟道...
- 单信道栅极驱动器在P沟道MOS管驱动设计中的应用与优化 单信道栅极驱动器在P沟道MOS管驱动设计中的核心作用在现代电力电子系统中,尤其是电源管理、电机控制和开关电源(SMPS)等应用中,P沟道MOS管因其高侧开关特性被广泛使用。然而,其栅极驱动要求较为特殊,需精确控制栅源...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- P沟道MOS管工作电压范围8V到29V的应用与选择 在电子工程领域,特别是在设计高压电源转换器、电机驱动器和逆变器时,正确选择合适的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)至关重要。P沟道MOS管以其高输入阻抗、低导通电阻以及快速开关速度等特性,在低压至中压...
- P沟道与N沟道MOS管100V参数详解:选型与应用指南 P沟道与N沟道MOS管100V核心参数解析在现代电子系统中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高开关速度、低导通损耗和良好的热稳定性,被广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,100V耐压等级的P沟道...
- P沟道MOS管工作原理与应用解析:从基础到实际电路设计 P沟道MOS管概述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-channel MOSFET)是一种以空穴为多数载流子的场效应器件,广泛应用于电源管理、开关控制和模拟电路中。其核心优势在于低导通电阻和高开关速度,尤其在需要负电压驱动的...
- 德国福P+F接近开关:自动化控制领域的高效解决方案 德国福P+F公司是世界著名的传感器制造商之一,其生产的接近开关在自动化控制领域拥有极高的声誉。福P+F接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到目标物体的存在,这不仅减少了机械磨损,还大大提...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- P沟道MOS管100V参数及应用领域 在电力电子和模拟电路设计中,P沟道MOS管是一种非常重要的半导体器件,尤其适用于高压环境下的应用。P沟道MOS管100V型号意味着其能够承受的最大电压为100伏特,这使得它在许多需要高电压切换或调节的应用中表现出色。接下...
- P沟道MOS管30V参数及应用实例 在电子工程领域中,P沟道MOS管因其独特的电气特性而被广泛应用于各种电路设计中。其中,电压等级达到30V的P沟道MOS管更是因其出色的性能,在高压应用场合中扮演着重要角色。下面将详细介绍这种器件的主要参数及其典型应用...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- 气压开关三P-10:功能、应用及重要性 在细致探讨气压开关三P-10的功能与应用之前,我们先来了解其基本构造。气压开关三P-10是一种精密设备,主要用于监控和控制气压系统中的压力变化。这种开关的设计目的是为了确保机械设备的安全运行,通过检测压力的变化来...
- 3-Phase Gate Drivers 3相栅极驱动器技术详解 在电力电子系统中,3相栅极驱动器是实现高效电机控制的关键组件之一。3相栅极驱动器主要用于控制三相电机中的功率开关器件(如IGBT或MOSFET),通过精确地控制这些开关器件的导通与关断时间,可以有效提高电机运行效率、...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- 车用音讯放大器工作原理及应用 车用音讯放大器是汽车音响系统中的重要组成部分,它负责将音频信号放大,以驱动汽车内的扬声器发出声音。了解其工作原理和应用对于提升汽车音响系统的性能至关重要。首先,音讯放大器的基本工作原理是接收来自音频源...
- P沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和电源管理领域,P沟道MOS管因其高效能和低损耗特性而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,比如某些直流-直流转换器、电机驱动系统或电池管理系统等,选择合适的P沟道MOS管显得尤为重要。针对您提到...
- 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...