三星Exynos 2100芯片：功耗将正确，性能得到改善！ ！

三星Exynos 2100芯片将是以下内容的主要介绍对象。通过这篇文章，编辑希望所有人都能了解和了解Samsung Exynos 2100芯片的相关情况和信息。
详情如下。 Exynos 2100是三星首款基于5nm EUV工艺的集成5G移动芯片组。
与使用7nm工艺的上一代产品相比，三星Exynos 2100芯片的功耗降低了20％，整体性能提高了10％。三星Exynos 2100芯片具有8个CPU内核，多核性能提高了33％，单核性能提高了19％，其中包括3个Arm Cortex-A78内核，四个Arm Cortex-A55内核以及一个Arm Cortex-X1超级内核。
与三星Exynos 2100芯片中使用的CPU Exynos 1080的CPU内核相比，Arm Cortex-X1尤其引人注目。编辑者了解到，Cortex-X1的设计遵循ARM的新许可系统“ Cortex-X Custom Program”，该系统允许客户在新微体系结构的设计阶段尽早进行协作并对其进行高度定制。
根据一般理论，三星的Exynos 2100芯片的功耗将大大增加。但是在三星的介绍中，三星Exynos 2100芯片配备了AMIGO的电源管理解决方案，可降低功耗，从而可以实时监控每个进程的功耗并优化密集型执行期间的总功耗图形处理任务。
三星Exynos 2100芯片使用ARM的最新高性能Cortex-X1内核（最大工作频率为2.9GHz），3个A78内核以及4个高效A55内核。根据三星的说法，与Exynos 990相比，三星Exynos 2100芯片的单核增加了19％，多核增加了33％，GPU增加了46％。
在5G连接方面，三星Exynos 2100芯片将是三星首款完全集成的5G芯片，支持5G Sub-6G和5G mmW毫米波，前者速度可以达到5.1Gbps，毫米波速度可以达到7.35Gbps ，4G网络也可以达到3Gbps的性能。三星Exynos 2100芯片已经是5nm芯片，那么5nm的制造极限吗？一点也不！目前，三星，台积电等公司已经在研究3nm芯片的制造工艺。
三星使用“ GAAFET”芯片。架构和业内人士认为，它可以更准确地控制跨通道的电流，并有效减小芯片面积以降低功耗。
台积电使用更成熟的“ FinFET”晶体管。其3nm工艺的架构。
到目前为止，有报道称苹果已经占据了台积电3nm工艺订单的很大一部分，这意味着苹果将成为台积电3nm工艺的首批客户之一。如果3纳米工艺推迟发货，则5纳米芯片将在市场上保留更长的时间。
三星和台积电都有望在2022年量产3nm工艺芯片，但台积电将在半年前出货。台积电表示，与5nm芯片相比，3nm性能将提高约10-15％，并可节省20％-25％的能耗。
编辑认为，明年或明年将实现3nm制程，而更先进的SoC芯片将为我们提供更好的性能。以上是编辑本次希望与您分享的有关三星Exynos 2100芯片的内容。
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