随着IGBT技术的发展，IGBT已从工业应用扩展到消费电子应用，成为未来10年增长最快的功率半导体器件。
在中国市场，轨道交通，家用电器节能，风力发电，太阳能光伏和电力电子应用也引爆了IGBT应用市场。
根据IHS iSuppli中国研究服务中心发布的报告，由于更加重视绿色能源和能源效率，以及政府的投资支持和严格的能源政策，中国的绝缘栅双极晶体管（ IGBT）从2011年到2015年市场销售的复合年增长率将达到13％。
如下图所示，2011年IGBT销售额将达到8.59亿美元，预计2015年将达到13亿美元。
与其他分立功率组件（例如其他MOSFET）相比，中国的IGBT销售强劲增长。
IGBT产品可分为IGBT模块和分立器件。
由于高功率输出，小尺寸和终端应用中的可靠性，IGBT模块广泛用于几乎所有电子行业，从消费领域到工业领域。
2010年，模块占IGBT总销售额的73％，达到5.37亿美元。
IGBT分立元件占剩余的27％。
2010年IGBT的总销售额达到7.1亿美元，比2009年的4.3亿美元增长了65％。
挑战与差距：尽管市场空间巨大，但国内IGBT市场仍被英飞凌和三菱等国外制造商所垄断。
南京银茂微电子的销售总监估计，国内IGBT市场的95％以上是进口产品。
;尽管国外IGBT巨头有一些国内投资或合资企业，但它们仍然对IGBT施加了技术封锁，因此真正的核心技术并未流向中国，这严重限制了我国IGBT工业化的进程。
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＆amp; Ldquo;与国外制造商相比，国内IGBT之间的主要差距是器件设计，工艺和制造技术以及整个终端应用的解决方案。
另外，IGBT原材料的供应也将在一定程度上影响家用IGBT的发展”。
华润集团分立器件产品开发中心总经理吴宗宪说，很务实。
他还表示，尽管国内IGBT产业发展相对较快，但由于各个方面的巨大差距，要赶上国际水平还需要5-10年的时间。
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西安新派总经理罗毅更为悲观。
他认为，在当前形势下，赶超国外标准的国产IGBT是白痴的梦想。
他解释说：“目前只能说国内IGBT产业才刚刚起步，而技术和工艺基本上都是空白。
一方面，IGBT的技术日新月异，并且更新非常快。
国内企业很难跟上，更不用说追赶了。
另一方面，中国尚未掌握IGBT的核心技术。
目前，中国仅有一些IGBT封装工厂。
没有自己的真实品牌，也没有与他人竞争的独立品牌？ ＆amp; rdquo;另外，缺乏工业化的技术经验和人才也是我国IGBT产业发展面临的困难之一。
尽管一些回返者返回中国创业，这种情况在一定程度上有所改善，但是由于国内大多数大学和研究机构的大力推动，该组织将其精力转向了SIC和GaN宽带隙半导体器件以及电源管理芯片。
仅有两三所大学和研究机构仍在进行IGBT器件的研究和开发，并且主要限于计算机仿真研究。
这导致了我国的IGBT设计以及研发人才的短缺。
突破茧增长由于国内公司在IGBT芯片设计，制造和封装方面的技术和积累相对较少，因此短期内赶超国际水平是不现实的。
因此，提高进口替代产品的能力已成为国内企业的首选方向。
凭借价格优势和本地优势来抢占市场份额，据了解，与国外公司相比，IGBT本地化设备可以节省15-20％的成本。
即使
