Tensilica和Morpho宣布他们正在合作,将Morpho的创新运动图像软件算法移植到Tensilica的新型IVP图像DSP(数字信号处理器)中。几年前,Morpho加入了Tensilica的扩展合作伙伴网络,并将以其在图像算法开发领域的丰富背景为更多的新客户提供服务。
Tensilica总裁兼首席执行官Jack Guedj表示:“ Morpho在图像处理软件和移动设备成像算法领域拥有高水平的技术。许多行业领先的公司都是morpho客户,他们将morpho软件算法移植到IVP DSP。
Internet上的性能和效率可以大大提高,这势必引起这些公司的兴趣。 " Morpho总裁Masaki Hiraga表示:“高性能,低功耗的Tensilica图像DSP IP内核非常适合处理我们的图像算法。
Morpho一直致力于图像解决方案的增长。我们也期待与Tensilica在这一领域的合作。
更多合作。 & rdquo; IVP是图像和视频数据平面处理器(DPU)。
它是手机,平板电脑,数字电视(DTV),汽车,视频游戏和计算机图形系统中复杂图像信号处理和手势识别功能的理想选择。 IVP数字信号处理器具有用于图像和视频像素处理的唯一指令集。
与单次主控CPU相比,单个IVP指令可以完成16个16位像素操作。它的复合指令带来10-20倍的性能提升和更低的功耗。
IVP具有300多个图像/视频专用矢量指令,每个周期可以完成32个或更多16位像素处理操作。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: ys@jepsun.com
产品经理: 汤经理
QQ: 2057469664
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- 30V N沟道与P沟道MOS管选型指南:从参数到实际电路设计 如何正确选择30V N沟道与P沟道MOS管?在电源管理、智能控制和便携设备设计中,合理选用30V耐压等级的MOS管是保障系统稳定性和能效的关键。以下从选型标准、电路布局和实际案例出发,提供全面指导。1. 核心选型指标工作电压...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- P沟道与N沟道MOS管100V参数详解:选型与应用指南 P沟道与N沟道MOS管100V核心参数解析在现代电子系统中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高开关速度、低导通损耗和良好的热稳定性,被广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,100V耐压等级的P沟道...
- 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
- N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
- 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
- N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
- 如何在8V–29V系统中优化选择N沟道与P沟道MOS管? 8V–29V系统中N沟道与P沟道MOS管选型策略指南在设计8V至29V的电源管理系统、电机控制器或智能开关电路时,正确选择N沟道或P沟道MOS管至关重要。以下从多个维度提供实用选型建议,帮助工程师实现最佳性能与成本平衡。1. 明确应...
- P沟道与N沟道MOS管在8V至29V电压范围内的应用对比分析 P沟道与N沟道MOS管概述在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用。根据导电类型的不同,MOS管可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)在栅...
- P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...
- N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管性能对比分析 N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管核心差异解析在现代电子系统设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)作为关键的开关和放大元件,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,N沟道与P沟道MOS管因其工作原...
- 如何在31V至99V系统中正确选择P沟道与N沟道MOS管?技术指南与实战建议 前言:高压系统中的关键元件选择在31V至99V的直流供电系统中,如储能系统、电动工具、医疗设备及智能电网接口装置,正确选择合适的MOS管是确保系统稳定、高效运行的核心。本文将结合实际工程案例,提供一套完整的选型流...
- P沟道MOS管30V与N沟道MOS管30V参数对比及应用解析 P沟道MOS管30V与N沟道MOS管30V核心参数对比在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高效率、低功耗和快速开关特性被广泛应用。其中,30V耐压等级的P沟道与N沟道MOS管是电源管理、电机驱动和负载开...
- P沟道MOS管栅极驱动设计中的常见问题与解决方案 P沟道MOS管栅极驱动设计中的典型问题分析尽管P沟道MOS管在高侧开关中具有优势,但在实际应用中常因驱动不当导致性能下降甚至器件损坏。以下是常见的驱动设计问题及其应对策略。1. 栅极电压不足导致导通不充分当栅极电压未...