Windows计算器可以移植到Linux吗?使用Uno平台!

早在去年,微软就开源了现代Windows 10计算器。今天,此应用程序出现在Linux上,由Uno Platform提供。
Uno Platform是C#和XALM的跨平台运行时。与Java一样,跨平台应用程序在任何受支持的平台上看起来都是本地的。
在Linux上,Uno Platform应用程序使用Skia渲染引擎绘制UI,并通过常规GTK框架集成到Ubuntu桌面中,并使用Mono项目构建。为了避免版权问题,此计算器已上载到Snap存储中,并已重命名为Uno计算器。
它支持标准,科学和程序员计算器功能,以及在各种计量单位和货币之间的一组转换器。专业媒体OMGUbuntu指出,它的性能优于本地Gnome计算器,主要是因为它支持更多的转换模式。
作为Uno项目,这是移植概念的很好证明。有兴趣的朋友可以尝试一下。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • N沟道MOS管工作原理与应用解析:从基础到实际电路设计 N沟道MOS管基本结构与工作原理N沟道MOS管(N-channel MOSFET)是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的一种,其核心特点是在栅极施加正电压时,可在源极和漏极之间形成导电沟道,从而实现电流的控制。该器件由栅极(Gate)、源极(...
  • 100V N沟道MOS管参数详解:从选型到可靠性验证全指南 100V N沟道MOS管的关键参数深度解读针对31V至100V范围内的100V N沟道MOS管,其参数设计直接影响系统的性能表现。以下为关键指标的详细分析:1. 漏源击穿电压(VBR(DSS))标称值≥100V,实际测试中可达110V以上,具备充足的余量应对瞬...
  • N沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和开关电源设计中,N沟道MOSFET因其低导通电阻和高速开关性能而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,选择合适的N沟道MOSFET就显得尤为重要。您提到的31V至99V电压范围,正好覆盖了许多工业控制、电机驱动...
  • 欧璐O-墙壁开关:简约设计与实用功能的完美结合 欧璐O-墙壁开关是一款结合了实用性和设计感的产品,特别适合现代家居使用。这款开关设计为一开多三孔单的设计模式,意味着一个开关可以控制多个电器的电源,不仅节省了安装空间,还极大地提升了使用的便捷性。其外观简...
  • 30V N沟道与P沟道MOS管选型指南:从参数到实际电路设计 如何正确选择30V N沟道与P沟道MOS管?在电源管理、智能控制和便携设备设计中,合理选用30V耐压等级的MOS管是保障系统稳定性和能效的关键。以下从选型标准、电路布局和实际案例出发,提供全面指导。1. 核心选型指标工作电压...
  • 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
  • N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
  • 100V N沟道MOS管详解:高效低功耗设计的理想之选 100V N沟道MOS管的技术特点与优势相较于400V型号,100V N沟道MOS管更适用于中低压电子系统,广泛应用于消费类电子产品、LED驱动、电池管理系统(BMS)和小型电机控制等领域。其核心参数如下:• 额定漏源电压(VDS):100V• 栅极...
  • N沟道MOS管在8V–29V系统中的选型与设计要点解析 前言:为何选择N沟道MOS管?N沟道MOS管因具有更低的导通电阻(Rds(on))和更高的电子迁移率,在8V–29V系统中表现出更优的性能。尤其在作为主开关器件时,其效率和热性能远超传统P沟道器件。一、关键参数选型指南额定电压(...
  • N沟道MOS管100V+与30V应用对比:性能、选型与电路设计解析 N沟道MOS管100V+与30V的性能差异分析在现代电子系统中,N沟道MOS管因其高效率、快速开关特性而被广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等场景。根据耐压等级的不同,可将N沟道MOS管分为100V+和30V两大类,其应用场景和技术参...
  • 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常见的场效应晶体管,其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用,从消费电子产品到工业控制系统,乃至最新的计算机芯片技...
  • 400V N沟道MOS管应用及选型指南 在电力电子设备中,N沟道MOS管因其低导通电阻、高速开关性能和高效率而被广泛应用。尤其对于需要承受400V电压的应用场景,选择合适的N沟道MOS管至关重要。本文将探讨如何为您的项目选择适合的400V N沟道MOS管,并提供一些关...
  • N沟道MOS管100V+参数及应用详解 在电子设计和电路开发中,N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种非常重要的元件,特别是在需要高电压处理能力的应用场景下,如电源管理和电机控制等。对于一款标称能够承受100V以上的N沟道MOS管来说,了...
  • 40-300V N沟道MOSFET选型指南 在电子设计中,选择合适的功率MOSFET对于确保电路的高效和稳定运行至关重要。40-300V电压范围内的N沟道MOSFET是许多电源转换、电机控制和其他电力应用中的关键组件。本文将探讨如何根据不同的应用场景选择适合的MOSFET,包括...
  • 接近开关WSC1808-N:高性能与广泛应用 接近开关WSC1808-N是一款高性能的感应设备,它主要应用于自动化控制系统中,用于非接触检测物体的存在或位置。这款接近开关具有体积小巧、安装方便的特点,同时具备较高的检测精度和快速响应时间,能够在各种工业环境中...