台积电计划在新竹兴建2纳米工厂,并已获得建造该工厂所需的土地

据国外媒体报道,8月25日,第一季度5nm工艺投入量产后,台积电的下一个工艺开发重点将放在更先进的3nm工艺和2nm工艺上。

为了尽快批量生产,相关工厂还需要提前计划并同时跟进。

尽管3nm工艺尚未投入生产,并且2nm工艺仍处于开发阶段,但台积电已经计划建立2nm工艺芯片生产厂。

台积电已开始规划2nm制程厂的消息源于台积电运营组织高级副总经理秦永培。

外国媒体在报道中说,秦永培透露,台积电计划在新竹兴建一座2nm制程芯片生产厂,并已获得该厂建设所需的土地。

新竹是台积电总部所在地,预计先进技术工厂将建在新竹。

2nm制程工厂建成后,台积电将在新竹科学园内开设更多工厂。

台积电目前有13家工厂,其中6家在新竹。

它们是用于12英寸超大型晶圆的Fab 12 A和Fab 12 B,以及用于8英寸晶圆的Fab 3和晶圆。

具有6英寸晶圆的Fab 5,Fab 8和Fab 2。

在台积电旗下的四个封装和测试工厂中,除了六个晶圆厂外,首个先进的封装和测试工厂也位于新竹科学园区。

联系方式

金属膜柱状电阻,又称:晶圆电阻,柱状电阻,色环贴片电阻,无脚电阻,无引线电阻。金属膜柱状电阻介于贴片电阻与直插电阻之间,主要适用于电流较大/耐高压冲击/安全性要求高的高阶电路中,与直插电阻相比,由于去掉了引线,因此很大的降低了直插电阻在高频时引线所产生的寄生电感,同时能够解决直插电阻小阻值中精度与温度系数无法提高的难题,与片状电阻相比,由于更大的表面面积使之耐电流,耐高压的性能大大提升,不论在在功能上,机械结构上,电气特性上,或安全性上,都明显优于常规贴片电阻。

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