美光刚刚宣布了其第五代3DNAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆栈。这也是美光与英特尔分道扬cooperation合作后的第二代3DNAND闪存。当美光与英特尔合作时，他们采用了浮栅闪存单元架构。独立后，他们转向了电荷陷阱闪存存储单元架构。第一代是128层堆栈，但是发现，解决新体系结构设计中的各种问题更多是过渡性的。因此，美光公司新的176层堆叠闪存所取代的实际上是96层堆叠。可以理解，微米级的176层闪存实际上是基于两个88层的叠加。第一批是TLC颗粒。单个芯片的容量为512Gb（64GB）。当然，稍后可能会添加QLC。由于采用了新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层的厚度减小至45微米，这与早期的64层浮栅3DNAND基本相同。这样，即使将16个管芯封装在单个芯片中以实现1TB的单个容量，其厚度也不会超过1.5毫米，并且可以轻松地放入智能手机和存储卡中。传输速率增加到1600MT / s，而之前的96/128层均为1200MT / s。读写延迟比96层提高了35％，与128层相比提高了25％，混合负载性能与96层相比提高了15％。 。美光公司表示，176层闪存已被大量生产和运输，并在Crucial品牌的某些消费类SSD中使用。明年将发布更多新产品，但尚未确认具体的产品型号。