本周的“知识积累”主要介绍结势垒控制肖特基二极管（JBS：JunctionBarrierControlledSchottkyDiode）和混合PIN肖特基二极管（MPS：MergedPINSchottkyDiode）的区别。首先，当您看到下面的图片（JBS或MPS）时，我不知道您想到的是什么结构？你愚蠢和不清楚吗？小型游戏有时会被这两个类似的设备弄糊涂！今天的小型游戏将带您区分结构相似，设计目标和设计方法完全不同的这两种设备。图1 JBS＆amp; MPS单元结构图让我们从JBS开始。众所周知，传统的肖特基势垒二极管（SBD）结构具有正向电压降低，反向漏电流大，击穿电压小的特点。这需要采取纠正措施。优缺点被折衷考虑。如果增加肖特基势垒，则反向泄漏电流将在一定程度上减小，但不可避免地会增加器件的正向压降并增加器件的正向功率损耗。图2 JBS反向工作原理示意图。图3 JBS反向偏置下SBD区域的电场分布。图4 JBS和传统SBD反向特性的比较。金属-半导体接触界面肖特基势垒的降低效应是由于肖特基势垒的降低而引起的，并且随着反向偏置电压的增加，肖特基势垒会更严重地降低。 JBS是一种旨在解决此问题的新型SBD结构。该结构直接改善了器件的肖特基势垒减小效果，而不会影响器件的前向性能。通过调节JBS单元结构尺寸，P型区域掺杂和其他条件，使用二维载流子耗尽来实现电荷耦合（如图2所示），从而使金属-半导体接触表面上的最强电场（确定肖特基势垒的减小）（影响作用的关键因素）被推入器件，器件的表面电场减小（如图3所示），这大大削弱了肖特基势垒的减小效应，减少了泄漏电流（如图4所示），并实现更高的高击穿电压。与专注于改善设备反向特性的JBS相比，MPS更加注重改善设备的正向特性（请参见图5）。其设计目标是引入PN结的电导调制效应，以减小高密度正向电流下SBD的压降。 ，其原理图如图6所示。图5 MPS与传统PIN和SBD大注入条件之间的正向传导电压比较图6 MPS正向工作原理fqj的示意图