近期半导体市场的起伏，美国对华为的禁令以及全球经济下滑影响了半导体的发展前景。以前，有传言称台积电推迟了先进的工艺技术。其中，3nm推迟了半年，直到明年第一季度。这位官员否认了这一消息。台积电的3nm是继5nm之后的下一代节点。官方信息显示，3nm工艺的晶体管密度达到了前所未有的2.5亿个/ mm 2。而5nm制程仅为1.8亿/ mm 2，而3nm的性能比5nm提高了7％，能耗率得到了提高。 15％。在工艺方面，台积电在评估了各种选择之后，认为当前的FinFET工艺在成本和能效方面都更好，因此第一个3nm仍将是FinFET晶体管技术。几天前，有传言说美国压制了华为，导致对先进工艺的需求放缓。台积电不仅降低了7nm和5nm工艺的生产能力，而且将3nm工艺推迟了两个季度。直到2021年第三季度才会进行风险试生产，总体进度也将如此，因此将在今年上半年下半年。但是，台积电今天否认了这一传言，称一切都按计划进行。 3nm工艺将按计划在2021年第一季度季度试生产，并将在2022年下半年正式开始量产。