由于超级电容器的充电时间，更好的瞬态性能，更简单的充电管理和更少的环境污染，它们在许多应用中变得越来越受欢迎。串联的多个电容器单体（2.7V）通常需要降压-升压充电拓扑，以实现电源的充电管理。 BQ25703A是单芯片解决方案，集成了快速充电，电源路径管理和保护功能。本文讨论了实际应用中的一些注意事项。 1.典型的充电电路和充电曲线：图1典型的应用电路图2典型的充电曲线图3配置和软件设置2.加速充电过程不同于锂电池的预充电过程，超级电容器可以快速直接充电，从而减少了充电时间，您可以采取以下两种方式来减少芯片随附的预充电过程，使用较低的电流检测电阻Rsr = 2mOhm。默认值为10mOhm，相当于预充电电流增加5倍。图420s快速充满电2禁用LDO模式为了确保芯片的最低工作电压，在预充电过程中，BATFET处于LDO模式。旁路模式也可以加快充电速度，但是会牺牲一部分系统电压范围。图5 LDO使能模式图6 LDO旁路模式3.兼容0.5A小电流USB输入。当输入电源的电流容量受到限制并且充电电流较高时，将存在降低输入电压的风险。需要动态配置充电电流，以防止由于低系统电压而导致系统崩溃。 BQ25703A的DPM模式可以灵活设置输入功率限制，动态分配实时充电电流，并确保恒定的输入电压。图7无DPM模式图8 DPM模式4.被动均衡功能为了防止单体过度充电或充电不足，需要添加主动或被动均衡。在保证功耗的基础上，无源均衡电路简单，成本较低。图9电阻无源均衡5.硬件过充电保护当软件崩溃或程序设置不正确时，需要硬件保护以防止电压过冲引起的危险。将内部比较器与芯片本身的HIZ模式结合使用可以使充电电压的保护低于设定的安全阈值。图10 HIZ硬件过压保护6.概述总而言之，BQ25703A可以用作多节超级电容器的升降压充电解决方案，它具有自己的功率路径功能和DPM功能，灵活的软件配置以及完整的硬件保护功能。