随着无铅技术的全球推广，NV-SRAM已成为NVRAM的流行选择。本文主要介绍了NV-SRAM与电池供电SRAM（BBSRAM）相比的优势。什么是BBSRAM？ BBSRAM，也称为BatRAM，是在嵌入式单个封装中将多个芯片和电池组件组合在一起的。电池可以集成在包装中，类似于塑料DIPS中的集成。也可以将电池安装在包装的顶层，然后在机械上增加类似于SOIC中使用的上盖。以与其他SRAM相同的方式访问BBSRAM。当电源电压（VCC）低于指定的电压电平时，内部电池将打开以维护存储器中的内容，直到VCC返回有效状态为止。什么是NV-SRAM？赛普拉斯NV-SRAM是快速静态RAM（SRAM），每个存储单元都包含一个非易失性单元。使用SONOS技术，嵌入式非易失性单元可以制成世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM可以实现无限的读写周期，而独立的非易失性数据则存储在高度可靠的SONOS单元中。当电源关闭时，通过使用存储在连接到VCAP引脚的小电容器上的电荷，数据自动从SRAM传输到非易失性单元（自动存储操作）。上电（上电回读操作）时，数据将从非易失性存储单元恢复到SRAM。 “存储”和“回读”也可以在软件控制下执行操作。 NV-SRAM的优势与多组件解决方案相比，NV-SRAM是具有小型外部电容器的单片解决方案。因此，与BBSRAM解决方案相比，它具有更多优势。 BBSRAM内部的BBSRAM包括三个主要组件：标准SRAM，电压传感器和开关芯片以及锂电池。每个BBSRAM模块都有一个内置的锂电池和控制电路（用于监视VCC，以避免超出公差范围）。如果发生这种情况，锂电池将自动打开，并且写保护功能将无条件启用以避免数据损坏。可以执行的写周期数没有限制，并且不需要支持微处理器接口的其他电路。图1显示了BBSRAM的框图。图1. BBSRAM的框图。 NV-SRAM内部的NV-SRAM技术在同一芯片上结合了SRAM和EEPROM技术。每个SRAM单元都包含一个非易失性EEPROM元件。在SRAM模式下，该存储器用作普通的静态RAM，其工作速率为SRAM速度。在非易失性模式下，SRAM数据将从EEPROM并行传输/读回，或者与EEPROM并行传输/读回。使用SONOS（硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅）技术生产EEPROM可以提供高产量，并且比浮栅处理技术所需的掩模更少。 SONOS技术的其他主要优点是：完善的设计和生产工艺，与CMOS微逻辑的良好集成性以及低功耗。用户数据的写入次数不受限制，因为这些数据已写入标准SRAM中。在产品生命周期内，EEPROM存储周期数可以修改为超过一百万次。传输数据时不需要电池。当通过外部电容器提供将数据从SRAM传输到EEPROM所需的功率时，数据将在断电期间自动传输。 NV-SRAM还与时钟逻辑结合使用，以创建非易失性RTC组件。图2显示了NV-SRAM的框图。图2. NV-SRAM框图图3.典型的NV-SRAM连接当VCC降至阈值以下（VSWITCH）时，赛普拉斯的NV-SRAM将进入自动存储模式，并将DQ总线拉至高电平。 -阻抗状态将忽略发生在设备地址和控制线上的所有转换，并禁止发生在设备上的所有读/写操作。技术特性曲线比较除具有商业优势外，SRAM与nvBBSRAM相比还具有许多技术优势。具体包括：•数据保留时间和产品使用寿命-数据保留时间是指数据存储环境开始恶化之前可以存储多长时间。产品寿命是指设备生产后可以运行多长时间。 •性能•开机时设备的功能-从功能的角度来看，NV-SRAM和BBSRAM具有相同的开机要求：-NV-SRAM自动将EEPROM中的数据传输到SRAM -BBBB自动从锂电切换VCC电源的电源•板空间fqj