功率器件应如何选择和校准？

作为电源行业值得信赖的测试专家，泰克在电源设计的各个阶段为工程师提供了可靠的解决方案，使工程师能够确定设计的每个步骤并优化设计的每个阶段，从而加快新产品的发布周期。 。
无法准确掌握市场上新推出的低功耗IC和功率器件的特性吗？它在自己的电源设计中真的发挥了最大作用吗？它缺乏一种简单而经济的评估方法。对于电源产品的设计，大功率开关的选择非常关键且非常困难。
如何在系统调试之前，特别是基于电桥拓扑的基础上，测试IGBT模块的特性，在不同的负载条件下测试IGBT及其对应二极管的特性？这些已成为工程师的头疼问题。功率器件动态参数/双脉冲测试诸如MOSFET和IGBT之类的功率器件提供了快速的开关速度，可以承受不规则的电压峰值，并被广泛用于功率转换产品的设计中。
特别是，最新的第三代半导体SiC和GaN的快速开发和应用可以毫不夸张地为电源行业带来颠覆性变化。对于设计工程师来说，这带来了很大的测试挑战。
如何确保所选的高速功率设备在自己的功率产品中能够稳定可靠地运行。我们需要了解功率器件的动态特性：不同温度下的功率器件的短路特性，关断栅极驱动特性和短路关断特性，关断时的过压特性，二极管恢复特性，开关损耗测试，泰克推出了IGBT Town电源设备，以支持单脉冲，双脉冲和多脉冲测试方案，集成的强大发生器，数据测试设备和软件。
用户可以自定义测试条件，测试项目包括：Toff，td（off），tf（Ic），Eoff，Ton，td（on），tr（Ic），Eon，di / dt，dv / dt，Err，qrr，基于IEC60747的Irr。推荐的解决方案：MSO54 + 5胜+ 5-PWR + TIVM02 + TIVH08 + TCP0030A + IGBT镇软件。
使用双脉冲方法，使用信号发生器将脉冲宽度设置为1uS，将周期设置为2.5uS，并将脉冲数设置为2倍。示波器使用单个触发器。
可以使用MSO58功率器件分析功能直接获得CoolGaN™的动态参数。左下方的测试表明Ic off是因为英飞凌的CoolGaN™根本没有反向恢复电流。
从测试数据可以看出，基于英飞凌的CoolGaN™专用驱动器1EDF5673K的CoolGaN™IGO60R070D1仍然非常快，并且完全没有反向恢复损耗。从测试结果中可以看出该解决方案的特性：对IGBT和MOSFET（包括第三代半导体器件SiC和GaN）功率半导体的动态特性进行可靠且可重复的测试；测得的特性包括导通，关断，开关切换，反向恢复，电网驱动，开关损耗和其他参数；适合用户定制测试环境；全部使用泰克示波器和原始功率探头，它们可以准确补偿探头延迟，专用的开关损耗算法，并提供可靠的测试结果；独特的IsoVu探头，最高800MHz带宽高达120dB的共模抑制比，它可以准确地测试驱动信号的真实情况。
大功率半导体器件验证测试开发和使用MOSFET，IGBT，二极管和其他大功率器件需要全面的器件级验证，例如击穿电压，导通电流和电容测量。吉时利大功率参数曲线跟踪器支持所有设备类型和测试参数。
吉时利大功率参数曲线跟踪器包含验证工程师快速开发全面测试系统所需的一切。 ACS-Basic基本版本软件提供完整的设备特性分析，包括实时跟踪模式和所有参数模式。
实时跟踪模式用于快速检查基本设备参数，例如击穿电压；全参数模式用于提取准确的设备参数。测试平台的构建吉时利提供从实验室到工厂，从晶圆级到单独封装的设备，从测试设置到分析结果的完整解决方案，并且是一种集成的完整解决方案，旨在实现最佳性价比。
从实验室科研水平的单个SMU源表到适合验证大功率半导体器件的完整测试程序，再到自动晶圆级测试系统，吉时利可以为您提供最佳的完整解决方案pri。